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Integra技术公司正在推出用于电子战、雷达、航空电子设备、国防、通信，以及情报、监视和监控（ISM）应用的IGN1011L120 IFF晶体管。
通过使用氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术，该晶体管可提供120瓦的峰值输出功率。
IGN1011L120晶体管专为敌我识别（IFF）航空电子应用而设计，是一种高功率GaN晶体管，专为AB类操作而设计。
该晶体管工作在1.03 - 1.09 GHz，在50伏偏置电压和6.4%占空比下提供至少120瓦的峰值脉冲功率。
该单元采用金属金属化的芯片和线材技术组装而成，采用金属封装，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
这种用于新设计的100%高功率RF和微波测试晶体管在ELM模式S脉冲条件下具有17dB的增益和75%的漏极效率：48x（32us On，18us Off），6.4%占空比。 |
