| 具有60o缺口的Co纳米环阵列的微磁学研究 |
| [发布日期：2013-05-27 点击次数：1708] |
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摘要：苗秀娟1，王学凤2，张建芳 1
（1. 内蒙古民族大学 物理与电子信息学院, 内蒙古通辽 028043；
2．吉林大学 物理学院, 吉林长春 130021）
摘 要：用微磁学理论对外径为300nm、内径为50nm、厚度为30nm、含有60o扇形缺口的Co纳米环2×2阵列在不同方向（垂直和平行于环的缺口方向）磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。当磁场垂直缺口方向时，Co纳米环阵列的磁滞回线形状都呈现出哑铃-旁瓣结构；剩磁态为磁通封闭结构（d=300nm除外）。当单元之间的距离为环外径的二倍时，它们之间的静磁耦合作用对阵列的磁滞回线形状和剩磁态的影响就可… |
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