| 磁化状态对自偏置微带环行器性能的影响 |
| [发布日期：2013-05-27 点击次数：1642] |
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摘要：潘勇才，张万里，彭 斌，孙延龙，张文旭
（电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054）
摘 要：基于钡铁氧体材料设计并制作了中心频率在22GHz的自偏置环行器，仿真结果表明，在22.6GHz附近，插入损耗小于0.2dB，隔离和回波损耗均大于30dB。测试结果表明，无外加磁场、铁氧体没有达到磁化饱和时，在22GHz处，器件插入损耗为2.9dB，隔离损耗接近50 dB。为了研究磁化状态对自偏置环行器性能的影响，在测试时施加弱磁场，插入损耗最小值为1.57 dB，出现在频率22.6 GHz处，对应的隔离度为11.4 dB；当施加强磁场… |
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