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V2O5掺杂对低温烧结宽温NiCuZn铁氧体显微结构及性能的影响
[发布日期:2017-03-23  点击次数:4171]

刘 兴,何 超,陈 轲

(西南应用磁学研究所,四川绵阳 621000

摘 要:采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体(LTCF)多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V2O5掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V2O5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%V2O5掺杂,可使材料实现低温烧成(烧结温度900左右),并具有高磁导率(500左右)、致密的细晶粒显微结构, 从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境(55+85)下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。

关键词:NiCuZn铁氧体;低温烧结;V2O5掺杂;微观结构;磁导率

中图分类号:TM277+.1          文献标识码:A           文章编号:1001-3830(2017)01-0048-05
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