| 交换偏置增强反铁磁FeMn薄膜稳定性研究 |
| [发布日期：2010-10-14 点击次数：2158] |
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摘要：摘 要：采用磁控溅射方法制备了基片/Ta/NiFe(Ⅰ)/FeMn(Ⅰ)/ NiFe(Ⅱ)/FeMn(Ⅱ)/Ta系列样品。实验发现，如果只是NiFe/FeMn交换偏置双层膜，在FeMn厚度大于3.5nm时才产生交换偏置。由于与NiFe之间的交换作用，即使2nm厚的FeMn(Ⅰ)也可以对NiFe(Ⅰ)产生交换偏置。结果表明，可以通过铁磁/反铁磁的交换耦合作用来增强反铁磁FeMn的稳定性。
关键词：反铁磁材料；交换偏置；磁控溅射；钉扎场
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