| LTO3制式磁头的优化设计 |
| [发布日期：2011-06-21 点击次数：1875] |
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摘要：邓俊彦1，邓沛然2，邓芬燕3
(1. 东莞理工学院 城市学院 实验中心，广东东莞 523106；
2. 上海工程技术大学 材料工程学院，上海 201620；
3. 长沙大学 实验中心，湖南长沙 410003 )
摘 要：LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存，LTO3是第三代LTO产品，磁头为各向异性磁电阻磁头（AMR）。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计，如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo的厚度和屏蔽层的参数，对各因素的影响作了定量分析，确定了影响磁头性能的关键因素，从而获得了最佳的设计参数，使磁头有较好的性能和稳定性。
关键词… |
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