| 基片温度对Ni81Fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 |
| [发布日期：2012-05-02 点击次数：1863] |
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| 摘要：摘 要：利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向；用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明，基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响，随着基片温度的升高，薄膜各向异性磁电阻随之增大，饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场，薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%，最低磁化饱和场为739.67A/m；随着缓冲层厚… |
